光电晶体管主要是利用光电转化的功能晶体，它的作用是接受光信号，并转换为电信号。
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已选
KPT081M31
Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管，其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2，产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度，上升/下降时间为5μs，暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600，最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装，尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm，非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。
SFH 3201
OSRAM的SFH 3201是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20至70 V，集电极暗电流为3至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为170至250 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为120 MW.有关SFH 3201的更多详细信息，请联系我们。
SFH 325
OSRAM的SFH 325是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）35 V，功耗165 MW.SFH 325的更多细节可以在下面看到。
SFH 3400
欧司朗的SFH 3400是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20至70 V，集电极暗电流为3至10 nA，集电极发射极电压（饱和）为170 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为120 MW.有关SFH 3400的更多详细信息，请联系我们。
SFH 3600
欧司朗的SFH 3600是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗130 MW.有关SFH 3600的更多详细信息，请联系我们。
SFH 3605
OSRAM的SFH 3605是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗130 MW.有关SFH 3605的更多详细信息，请联系我们。
AM2520P3C03
KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息，请联系我们。
APL3015P3C
KingbrightUSA的APL3015P3C是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关APL3015P3C的更多详细信息，请联系我们。
AA3528P3S
KingbrightUSA的AA3528P3S是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA，功耗100 MW.有关AA3528P3S的更多详细信息，请联系我们。
AM4457P3C
来自KingbrightUSA的AM4457P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.35至0.8 mA，功耗为100 MW.有关AM4457P3C的更多详细信息，请联系我们。
AP1608P1C
KingbrightUSA的AP1608P1C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关AP1608P1C的更多详细信息，请联系我们。
AP2012P3C
KingbrightUSA的AP2012P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA，功耗100 MW.有关AP2012P3C的更多详细信息，请联系我们。
APA3010P3BT-GX
KingbrightUSA的APA3010P3BT-GX是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关APA3010P3BT-GX的更多详细信息，请联系我们。
APT2012P3BT
KingbrightUSA的APT2012P3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关APT2012P3BT的更多详细信息，请联系我们。
KP-2012P3C
KingbrightUSA的KP-2012P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA.有关KP-2012P3C的更多详细信息，请联系我们。
KP-3216P3C
来自KingbrightUSA的KP-3216P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关KP-3216P3C的更多详细信息，请联系我们。
KPA-3010P3C
来自KingbrightUSA的kPa-3010P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关kPa-3010P3C的更多详细信息，请联系我们。
L-3DP3BT
KingbrightUSA的L-3DP3BT是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.2 mA.有关L-3DP3BT的更多详细信息，请联系我们。
L-7113P3C
来自KingbrightUSA的L-7113P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5至2.5 mA.有关L-7113P3C的更多详细信息，请联系我们。
WP3DP3BT
KingbrightUSA的WP3DP3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.2 mA，功耗100 MW.有关WP3DP3BT的更多详细信息，请联系我们。
